সেমিকন্ডাক্টর দ্রুত পুনরুদ্ধার ডায়োড এসএমবি ডিও -214 এএ ইএস 2 এ ইএস 2 বি ইএস 2 সি ইএস 2 ডি ইএস 2 ই ই এস 2 জি ইএস 2 জ

ES2A ES2B ES2C ES2D ES2E ES2G ES2J দ্রুত রিকভারি ডায়োড এসএমবি ডিও -214AA

Fast recovery diode (FRD) is a kind of semiconductor diode with good switching characteristics and short reverse recovery time, which is mainly used in switching power supply, PWM pulse width modulator, inverter and other electronic circuits, as a high frequency rectifier diode, secondary diode or damping diode. দ্রুত পুনরুদ্ধার ডায়োড (এফআরডি) হ'ল এক ধরণের অর্ধপরিবাহী ডায়োড যা ভাল স্যুইচিং বৈশিষ্ট্য এবং সংক্ষিপ্ত বিপরীত পুনরুদ্ধারের সময়, যা প্রধানত সুইচিং পাওয়ার সাপ্লাই, পিডাব্লুএম পালস প্রস্থ মডিউলার, ইনভার্টার এবং অন্যান্য বৈদ্যুতিন সার্কিটগুলিতে উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি রেক্টিফায়ার ডায়োড হিসাবে হিসাবে ব্যবহৃত হয় ডায়োড বা স্যাঁতসেঁতে ডায়োড। The internal structure of fast recovery diode is different from ordinary p-junction diode. দ্রুত পুনরুদ্ধার ডায়োডের অভ্যন্তরীণ কাঠামো সাধারণ পি-জংশন ডায়োড থেকে পৃথক। It belongs to PIN junction diode, that is, base region I is added between p-type silicon material and n-type silicon material to form PIN silicon chip. এটি পিন জংশন ডায়োডের অন্তর্গত, এটি, বেস অঞ্চল আমি পি সিলিকন চিপ গঠনের জন্য পি-টাইপ সিলিকন উপাদান এবং এন-টাইপ সিলিকন উপাদানের মধ্যে যুক্ত করা হয়। Because the base area is very thin and the reverse recovery charge is very small, the reverse recovery time of the fast recovery diode is short, the forward voltage drop is low, and the reverse breakdown voltage (withstand voltage value) is high. যেহেতু বেস অঞ্চলটি খুব পাতলা এবং বিপরীতে পুনরুদ্ধার চার্জ খুব কম, দ্রুত পুনরুদ্ধারের ডায়োডের বিপরীতে পুনরুদ্ধারের সময় কম, ফরোয়ার্ড ভোল্টেজ ড্রপ কম, এবং বিপরীত ব্রেকডাউন ভোল্টেজ (প্রতিরোধ ভোল্টেজ) বেশি হয়।